2026年1月17日，从中核集团获悉，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）已于近日成功出束，其核心指标达到国际先进水平。这一重大技术突破标志着我国已全面掌握了串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链上的一个关键环节。离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造的“四大核心装备”，是半导体产业不可或缺的关键设备。长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，技术壁垒高，是制约战略性产业升级的瓶颈之一。中核集团原子能院依托在核物理加速器领域数十年的技术积累，以串列加速器技术为核心手段，成功破解了一系列技术难题，实现了从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业的长期技术垄断。该设备的成功研制是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，并为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供强有力的技术支撑。